İki boyutlu elektron sistemlerde yapay grafen yapıların gerçekleştirilmesi ve incelenmesi

Proje kapsamında moleküler demet büyütme (MBE) yöntemi ile büyütülmüş GaAs/AlGaAs heteroyapılardaki yüksek mobiliteli iki boyutlu elektron sistemleri kullanılarak grafen benzeri yapay sistemler elde edilmiştir. Burada grafendeki karbon atomlarının oluşturuğu hegzagonal yapının yerini nanolitografi yöntemi kullanılarak malzemenin yüzeyi üzerinde şekillendirilmiş metal elektrotlara uygulanan gerilim ile iki boyutlu elektron sisteminin bulunduğu düzlemde oluşturulan potansiyel aracılığı ile oluşturulan elektron adacıkları almaktadır. Yüzey elektrotlarına uygulanan gerilim aracılığı ile örgü ve tünnelleme parametreleri kontrol edilebilen sistemler oluşturulmuştur. Projenin nano litografi kısmında örgü parametresi ve adacık yarıçapı geniş bir aralıkta değişen hegzagonal örgü metalik yüzey elektrotları geliştirilmiştir. Geliştirilen hegzagonal yapıların karekterizasyonu için Hough Transform gibi özgün yeni metotlar kullanılmış, geliştirilmiş ve makale olarak yayınlanmıştır. Ayrıca bu tür geniş alanlı ve yoğun motifli litografik yapıların elektron demet litografi ile gerçekleştirilmesi için development zamanı ve sıcaklığı gibi litografik süreci belirleyen parametreler üzerine çıktıya dönüşebilecek detaylı incelemeler yapılmıştır. Hazırlanan örneklerde mili Kelvin sıcaklıklarda elektronik taşınım deneyleri yapılmıştır. Yüzeydeki hegzagonal örgüye uygulanan gerilime bağlı olarak gelişen pikler gözlenmiştir. Bulguların işlenmesi, anlaşılması ve yayın olarak çıktıya dönüşmesi için çalışmalar yapılmıştır.