Göktaş, Oktay; Çakıroğlu, Dilek; Yıldırım, Özal; Göktaş, Nebile Işık

With the advance of nanotechnology, the demand for very dense nanopatterns over large areas continuously increases. Electron beam lithography is one of the main tools to realise this type of nanopattern. In this study we investigate the effect and interrelation of dose and development time for electron beam resist poly(methyl methacrylate) (PMMA) for the realisation of very large area and very dense nanopatterns. For this purpose a pattern consisting of a lattice of holes with radius of 80 nm and lattice constant of 200 nm has been designed, electron beam lithography is realised on a thin resist and a detailed SEM image inspection of the pattern is recorded. Hough transform, a pattern recognition method for the digital images, is applied to SEM images to measure the radii of the holes on the images. Interrelation between dose and development time is investigated. It is found that for a very large area of dense nanopatterns the lithographic process works better for development times shorter than typically used ones.

İncele

Göktaş, Oktay; Kaya, İsmet İnönü; Göktaş, Nebile Işık

İki boyutlu elektron sistemleri zengin ilginç özellikler barındıran sistemler olarak yoğun bir araştırma konusu olmuşlardır. Bu sistemlerde nano teknolojinin sunduğu olanaklar da kullanılarak yepyeni özellikler sergileyen aygıtlar hazırlanmış ve deneyler yapılmıştır. Balistik tranzistörler, Kuantum nokta kontaklar, kuantum noktalar ve elektron interferometreleri bu aygıtlardan bazılarıdır. Bu projede AlGaAs/GaAs hetero yapıların ara yüzeyinde oluşan iki boyutlu elektron sistemlerinde, MZ interferometreler ve kesikli enerji seviyelerine sahip olmalarından dolayı yapay atom olarak da adlandırılan kuantum nokta sistemlerinin fabrikasyonu yapılmış ve incelenmiştir.

İncele

Özgüz, Volkan Hüsnü; Göktaş, Oktay; Göktaş, Nebile Işık

Proje kapsamında moleküler demet büyütme (MBE) yöntemi ile büyütülmüş GaAs/AlGaAs heteroyapılardaki yüksek mobiliteli iki boyutlu elektron sistemleri kullanılarak grafen benzeri yapay sistemler elde edilmiştir. Burada grafendeki karbon atomlarının oluşturuğu hegzagonal yapının yerini nanolitografi yöntemi kullanılarak malzemenin yüzeyi üzerinde şekillendirilmiş metal elektrotlara uygulanan gerilim ile iki boyutlu elektron sisteminin bulunduğu düzlemde oluşturulan potansiyel aracılığı ile oluşturulan elektron adacıkları almaktadır. Yüzey elektrotlarına uygulanan gerilim aracılığı ile örgü ve tünnelleme parametreleri kontrol edilebilen sistemler oluşturulmuştur. Projenin nano litografi kısmında örgü parametresi ve adacık yarıçapı geniş bir aralıkta değişen hegzagonal örgü metalik yüzey elektrotları geliştirilmiştir. Geliştirilen hegzagonal yapıların karekterizasyonu için Hough Transform gibi özgün yeni metotlar kullanılmış, geliştirilmiş ve makale olarak yayınlanmıştır. Ayrıca bu tür geniş alanlı ve yoğun motifli litografik yapıların elektron demet litografi ile gerçekleştirilmesi için development zamanı ve sıcaklığı gibi litografik süreci belirleyen parametreler üzerine çıktıya dönüşebilecek detaylı incelemeler yapılmıştır. Hazırlanan örneklerde mili Kelvin sıcaklıklarda elektronik taşınım deneyleri yapılmıştır. Yüzeydeki hegzagonal örgüye uygulanan gerilime bağlı olarak gelişen pikler gözlenmiştir. Bulguların işlenmesi, anlaşılması ve yayın olarak çıktıya dönüşmesi için çalışmalar yapılmıştır.

İncele