Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları
Yazarlar
Yayınlar
- MakaleAçık Erişim2023Reclaim of Wrecked Bi-Te Based Materials In Peltier Modules In Thermopower Properties By Mechanical Milling
Yüzüak, Ercüment; Cetin, Mehmet; Yüzüak, Gizem Durak
We thoroughly evaluated the effects of various treatments on the structural and electrical properties of the two as-cast materials, “Sb-doping Bi-Te (p-type)” and “Se-doping Bi-Te (n-type)” which are frequently present in abandoned Peltier modules. To investigate the thermoelectric properties of Bi2Te3-based materials, waste alloys characterized by electrical conductivity using the hot-end method. Alloys were purified by performing arc melting on a water-cooled copper crucible in a vacuum of at least 10-3 mbar, with five times melting sessions to assure homogeneity. A single and long milling period of 144 hours is applied. After the compressing operation, the resulting discs with nanostructures were annealed for an hour at 600 K under vacuum conditions. The discs' structural properties were characterized using X-ray diffraction (XRD) and their surfaces and stoichiometries were determined using scanning electron microscopy with an energy dispersive feature. The Seebeck coefficient of the nanoparticle formed n-type Bi-Te based sample is -35.3 μV.K-1 and p-type Bi-Te based sample is 100 μV.K-1 (15% of mean error margin). It was found that a notable improvement was attained in comparison to the initial state with the addition of nanoparticles.
- MakaleAçık Erişim2021Grafen Katkılı Nişasta Filmlerinin Dielektrik Özelliklerinin Geniş Frekans Aralığında İncelenmesi
Torgut, Gulben; Gürler, Nedim
Bu çalışmada, gliserol ile plastikleştirilmiş patates nişastası (PN) filmlerine, farklı oranlarda (% 0.5, 1, 2) grafen (G) eklenerek döküm yöntemi ile hazırlanmış filmlerin dielektrik sabiti, dielektrik kayıp ve kayıp tanjantı gibi bazı dielektrik özelliklerinin frekansla değişimleri incelendi. PN’nın saf hali ve G ile hazırlanmış kompozitlerinin (PNG0.5, PNG1 ve PNG2) dielektrik sabiti (έ), dielektrik kayıp faktörü (ε՛՛) ve kayıp tanjantı (tanδ) değerleri oda sıcaklığında frekansın bir fonksiyonu olarak (100 Hz ile 10 kHz arasında) empedans analizör cihazı ile belirlendi. Nişastanın 1 kHz sabit frekans ve oda sıcaklığındaki dielektrik sabiti, dielektrik kayıp ve kayıp tanjantı değerleri sırasıyla 9.20, 4.45 ve 0.48 olarak bulundu. Ayrıca, farklı oranlarda G miktarının (ağırlıkça %0.5, %1 ve %2) filmlerin dielektrik özellikleri üzerindeki etkisi araştırıldı. G konsantrasyonu arttıkça dielektrik sabiti, dielektrik kayıp ve kayıp tanjantı değerlerinde, saf nişastaya göre önemli artış olduğu gözlendi.
AtıfOpenAlex2TR Dizin1
İncele - MakaleAçık Erişim2019The effect of graphene oxide on the structural and electrical properties of yttrium ferrite based nanopowders
Aydin, Handan
In this study, Yttrium Ferrite based nano electroceramics were prepared bythe doping at various ratios of graphene oxide by the hydrothermal method.The obtained doped and undoped samples were characterized by XRD, SEM,FTIR, DTA, UV-VIS-NIR spectroscopy, temperature dependent electricalresistance changes and dielectric measurements. From the XRD results, it isobserved that the obtained samples are polycrystalline with an Orthorhombicstructure. The crystal parameters are changed with the doping of grapheneoxide. FTIR spectra indicate that the graphene oxide changes the peakintensities. This confirms the incorporation of the graphene oxide into theceramic structure. The doping of the graphene oxide changes the optical bandgaps of the samples. The dielectric constants of the samples are changed withthe graphene oxide. The DC electrical conductivity measurements confirm thesemiconducting behavior of the samples. The obtained results indicate thatthe electronic and nanostructure of the synthesized electroceramics can becontrolled by the doping of graphene oxide for electronic and energyapplications.
AtıfOpenAlex10İncele - MakaleAçık Erişim2019Fabrication and Characterization of Amorphous Semiconductor InTe Thin Film
Aydin, Cihat; Aydin, Handan; Yakuphanoglu, Fahrettin
In this study, X-ray diffraction, electrical conductivity, optical and dielectrical properties of the InTe amorphous semiconductor material have been investigated. X-ray diffraction results show that InTe sample has an amorphous structure. Temperature dependence of electrical conductivity of the sample has been investigated and the obtained results confirm that InTe is an amorphous semiconductor. The InTe sample shows photoconductivity behavior. The optical band gap and optical constants of the sample were calculated using transmittance and reflectance spectra. In the sample, the direct optical transitions take place The refractive index dispersion curve of the sample obeys the single oscillator model. The dielectrical properties of the sample have been investigated as a function of frequency and temperature. It was found that the dielectrical parameters were changed with temperature and frequency. The electrical modulus curves were used to analyze the dielectrical relaxation processes.
- MakaleYalnız künye2017Absolute Parallelism in The Bainchi-Type IX Taub Solution
Korunur, Murat
Bu çalışmada, mutlak paralellizm olarak bilinen alternatif bir bakış açısıyla ünlü kütleçekim problemlerinden birini inceliyoruz. Bainchi-Type IX uzay-zamanın Taub çözümü ve mutlak paralellizmde Hamilton yaklaşımı tekniği göz önüne alındığında, bu duruma karşılık gelen açısal momentum, toplam enerji ve momentum dağılımları elde edilmektedir. Temel sonuçlarımızın diğer bir yazar tarafından literatürde yayınlanan sonuçlarla uyumlu olduğu görülmektedir
- Proje2017Kuantum Koherent Elektronik Aygıtların Fabrikasyonu ve İncelenmesi
Göktaş, Oktay; Kaya, İsmet İnönü; Göktaş, Nebile Işık
İki boyutlu elektron sistemleri zengin ilginç özellikler barındıran sistemler olarak yoğun bir araştırma konusu olmuşlardır. Bu sistemlerde nano teknolojinin sunduğu olanaklar da kullanılarak yepyeni özellikler sergileyen aygıtlar hazırlanmış ve deneyler yapılmıştır. Balistik tranzistörler, Kuantum nokta kontaklar, kuantum noktalar ve elektron interferometreleri bu aygıtlardan bazılarıdır. Bu projede AlGaAs/GaAs hetero yapıların ara yüzeyinde oluşan iki boyutlu elektron sistemlerinde, MZ interferometreler ve kesikli enerji seviyelerine sahip olmalarından dolayı yapay atom olarak da adlandırılan kuantum nokta sistemlerinin fabrikasyonu yapılmış ve incelenmiştir.
- Proje2017İki boyutlu elektron sistemlerde yapay grafen yapıların gerçekleştirilmesi ve incelenmesi
Özgüz, Volkan Hüsnü; Göktaş, Oktay; Göktaş, Nebile Işık
Proje kapsamında moleküler demet büyütme (MBE) yöntemi ile büyütülmüş GaAs/AlGaAs heteroyapılardaki yüksek mobiliteli iki boyutlu elektron sistemleri kullanılarak grafen benzeri yapay sistemler elde edilmiştir. Burada grafendeki karbon atomlarının oluşturuğu hegzagonal yapının yerini nanolitografi yöntemi kullanılarak malzemenin yüzeyi üzerinde şekillendirilmiş metal elektrotlara uygulanan gerilim ile iki boyutlu elektron sisteminin bulunduğu düzlemde oluşturulan potansiyel aracılığı ile oluşturulan elektron adacıkları almaktadır. Yüzey elektrotlarına uygulanan gerilim aracılığı ile örgü ve tünnelleme parametreleri kontrol edilebilen sistemler oluşturulmuştur. Projenin nano litografi kısmında örgü parametresi ve adacık yarıçapı geniş bir aralıkta değişen hegzagonal örgü metalik yüzey elektrotları geliştirilmiştir. Geliştirilen hegzagonal yapıların karekterizasyonu için Hough Transform gibi özgün yeni metotlar kullanılmış, geliştirilmiş ve makale olarak yayınlanmıştır. Ayrıca bu tür geniş alanlı ve yoğun motifli litografik yapıların elektron demet litografi ile gerçekleştirilmesi için development zamanı ve sıcaklığı gibi litografik süreci belirleyen parametreler üzerine çıktıya dönüşebilecek detaylı incelemeler yapılmıştır. Hazırlanan örneklerde mili Kelvin sıcaklıklarda elektronik taşınım deneyleri yapılmıştır. Yüzeydeki hegzagonal örgüye uygulanan gerilime bağlı olarak gelişen pikler gözlenmiştir. Bulguların işlenmesi, anlaşılması ve yayın olarak çıktıya dönüşmesi için çalışmalar yapılmıştır.
- MakaleYalnız künye2016New complex exact travelling wave solutions for the generalized- Zakharov equation with complex structures
Bulut, Hasan; Baskonus, Haci Mehmet
In this paper, we apply the sine-Gordon expansion method which is one of the powerful methods to the generalized-Zakharov equation with complex structure. This algorithm yields new complex hyperbolic function solutions to the generalized-Zakharov equation with complex structure. Wolfram Mathematica 9 has been used throughout the paper for plotting two- and three-dimensional surface of travelling wave solutions obtained.